AI 数据中心的算力规模持续扩张，光互连已成为算力集群内部与集群之间通信的主通道。端口速率正从 800G 向 1.6T 规模商用推进，3.2T 进入预研与样机验证阶段。速率每提升一倍，光模块内部的光电组装精度、热管理与信号完整性要求同步抬升——制造环节的难度重心，正从毫米级走向微米级。
核心器件是当前国产化短板与产业机会并存的环节。InP 基激光器（EML、CW-DFB）、硅光 PIC、高速 DSP，以及承载光电芯片的陶瓷基板、玻璃基载板与高速 PCB，共同构成光模块的价值高地。上游 InP 衬底与晶圆产能紧张被普遍认为会延续到 2028 年前后，海外光源大厂产能被长期协议锁定，而国产光源厂商在 200G EML 与高功率 CW 光源上正处于验证转量产的关键窗口。
组装工艺成为良率的主战场。1.6T 模块普遍采用 8×200G PAM4 架构，通道数增加而单通道容差收窄，倒装（FC）贴装精度、锡膏印刷一致性、回流焊空洞率、光耦合对准与底部填充工艺，共同决定最终良率与单位成本。
检测与良率工程能力正在成为企业分水岭。从 3D AOI、X-ray CT、C-SAM 到光功率与眼图测试，在线检测覆盖率与数据闭环能力，直接决定量产爬坡速度与客户导入节奏。
本论坛的价值在于把“器件—工艺—良率”三段串成一条线：让光源与芯片、载板、设备、材料、测试与模块厂坐在同一张议程上，对齐语言、对齐指标、对齐验证方法。
